台湾半导体材料研究获重大突破

半导体材料瓶颈有望突破！台湾科技部昨（3）日宣告，台湾、日本、沙乌地阿拉伯等跨国团队，已研究出有单层二硫化钼P-N接面，有望代替矽晶片沦为新世代半导体核心元件，广泛应用在穿着式装置及手机中。　　这是全球第1个公开发表新世代半导体材料基础研究成果，不但将刊出在近期一期国际期刊《SCIENCE》中，交大研究团队透漏，这项结果有望更有台积电更加积极合作研究，以早日守住全球市场商机。　　在科技部大力支持尖端晶体材料研发及制作计画科技支出下，半导体材料瓶颈有了重大突破。

台湾研究团队计画主持人交大电子物理系教授张文豪认为，英特尔及三星皆大力投放单层元件材料研究，台积电也大力与学界洽谈合作，未来谁能先行研发单层元件材料，就能在全球市场占据一席之地。　　张文豪说道，单层二硫化钼是全球科学家指出新世代半导体甚有潜力的材料，这次研究团队发展出有单层二硫化钼及单层二硒简化钨的极致P-N接面，有望解决问题半导体元件制取关键问题。　　张文豪说道，未来可普遍应用于极为微小简化的电子元件，特别是在单层二硫化钼具备近于轻薄透明特性，有潜力应用于在未来低耗能软性电子与穿着式电子元件，或手机应用于中。　　张文豪说道，台籍科学家李连忠过去为中研院研究员，被沙国国王科技大学招揽沦为沙国科学家，他筹组台湾、沙国、日本等跨国合作团队展开大型合作计画。

台湾研究团队除张文豪外，还有交大材料系由教授韦光华、中研院应科中心研究员朱治伟等人。　　科技部认为，二硫化钼是时隔石墨烯后，倍受国际科学家注目层状材料，单层二硫化钼具备较好闪烁效率，极好电子迁移率（可快速反应）与低电源比（电晶体较平稳），可用作未来新型低耗能逻辑电路，近于有可能代替目前矽晶做下世代主要核心元件。　　科技部认为，国际半导体大厂如Intel、台积电及三星等，大于元件技术大约落在7～10奈米间，而这项研究成果为二硫化钼及涉及无机二维材料电子学研究及应用于，将有助二硫化钼等材料应用于在2奈米半导体制程技术中。

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